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J-GLOBAL ID：201702246886413624 整理番号：17A0794815

サブ20nm CMOSのための高性能埋込STT-MRAMのための100 μA以下のサブIII nsパルスでの1×2×-nmの垂直MTJスイッチング【Powered by NICT】

$1¥times$ - to $2¥times$ -nm perpendicular MTJ Switching at Sub-3-ns Pulses Below $100¥mu$ A for High-Performance Embedded STT-MRAM for Sub-20-nm CMOS

著者 (11件)：

Saida Daisuke

(Toshiba Corporate Research and Development Center, Kawasaki, Japan)

Kashiwada Saori

(Toshiba Corporate Research and Development Center, Kawasaki, Japan)

Yakabe Megumi

(Toshiba Corporate Research and Development Center, Kawasaki, Japan)

Daibou Tadaomi

(Toshiba Corporate Research and Development Center, Kawasaki, Japan)

Fukumoto Miyoshi

(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Japan)

Miwa Shinji

(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Japan)

Suzuki Yoshishige

(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Japan)

Abe Keiko

(Toshiba Corporate Research and Development Center, Kawasaki, Japan)

Noguchi Hiroki

(Toshiba Corporate Research and Development Center, Kawasaki, Japan)

Ito Junichi

(Toshiba Corporate Research and Development Center, Kawasaki, Japan)

Fujita Shinobu

(Toshiba Corporate Research and Development Center, Kawasaki, Japan)

資料名：

IEEE Transactions on Electron Devices (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻： 64 号： 2 ページ： 427-431 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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