文献
J-GLOBAL ID:201702247054566613
整理番号:17A1017558
多重レベルの抵抗スイッチング特性があるHfO2/HfO2-x二層構造に対する電子ホログラフィー
Electron holography on HfO2/HfO2-x bilayer structures with multilevel resistive switching properties
著者 (15件):
NIU G
(Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN)
,
NIU G
(IHP, Frankfurt (Oder), DEU)
,
SCHUBERT M A
(IHP, Frankfurt (Oder), DEU)
,
SHARATH S U
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
ZAUMSEIL P
(IHP, Frankfurt (Oder), DEU)
,
VOGEL S
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
WENGER C
(IHP, Frankfurt (Oder), DEU)
,
HILDEBRANDT E
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
BHUPATHI S
(IHP, Frankfurt (Oder), DEU)
,
PEREZ E
(IHP, Frankfurt (Oder), DEU)
,
ALFF L
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
LEHMANN M
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
SCHROEDER T
(IHP, Frankfurt (Oder), DEU)
,
SCHROEDER T
(BTU Cottbus-Senftenberg, Cottbus, DEU)
,
NIERMANN T
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
28
号:
21
ページ:
215702,1-7
発行年:
2017年05月26日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)