文献
J-GLOBAL ID:201702247087885618
整理番号:17A1544968
SiCパワーMOSFETモジュールの加速サイクル試験における劣化速度に及ぼす金型劣化の影響【Powered by NICT】
Die degradation effect on aging rate in accelerated cycling tests of SiC power MOSFET modules
著者 (4件):
Luo Haoze
(Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
,
Baker Nick
(Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
,
Iannuzzo Francesco
(Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
,
Blaabjerg Frede
(Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
76-77
ページ:
415-419
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)