文献
J-GLOBAL ID:201702247122860522
整理番号:17A0955223
ライン互換性のある不揮発性メモリ用途のバックエンドのためのSiCOHベースの抵抗ランダムアクセスメモリ
SiCOH-based resistive random access memory for backend of line compatible nonvolatile memory application
著者 (6件):
ZHENG Liang
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
DAI Ya-Wei
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
YU Lin-Jie
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
CHEN Lin
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
SUN Qing-Qing
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHANG David Wei
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
4S
ページ:
04CE10.1-04CE10.3
発行年:
2017年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)