文献
J-GLOBAL ID:201702247134378371
整理番号:17A0759448
水素環境異方性熱エッチングによるInGaN/GaN MQWナノLEDの作製【Powered by NICT】
Fabrication of InGaN/GaN MQW nano-LEDs by hydrogen-environment anisotropic thermal etching
著者 (6件):
Ogawa Kohei
(Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan)
,
Hachiya Ryo
(Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan)
,
Mizutani Tomoya
(Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan)
,
Ishijima Shun
(Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan)
,
Kikuchi Akihiko
(Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan)
,
Kikuchi Akihiko
(Sophia Nanotechnology Research Center, Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
214
号:
3
ページ:
ROMBUNNO.201600613
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)