文献
J-GLOBAL ID:201702247142869950
整理番号:17A0468073
化学浴析出法により合成された鉛硫黄セレン化物(PbS1-xSex)薄膜のバンドギャップ工学
Band gap engineering in lead sulphur selenide (PbS1-x Sex ) thin films synthesized by chemical bath deposition method
著者 (4件):
HONE Fekadu Gashaw
(Hawassa Univ., Hawassa, ETH)
,
AMPONG Francis Kofi
(Kwame Nkrumah Univ. Sci. and Technol., Kumasi, GHA)
,
NKUM Robert Kwame
(Kwame Nkrumah Univ. Sci. and Technol., Kumasi, GHA)
,
BOAKYE Francis
(Kwame Nkrumah Univ. Sci. and Technol., Kumasi, GHA)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
3
ページ:
2893-2900
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)