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文献
J-GLOBAL ID：201702247244354107
整理番号：17A0955254
直接変換型シリコンX線センサのためのトレンチ構造フォトダイオードのX線対電流信号変換特性
X-ray-to-current signal conversion characteristics of trench-structured photodiodes for direct-conversion-type silicon X-ray sensor
ARIYOSHI Tetsuya
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
FUNAKI Shota
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
SAKAMOTO Kenji
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
BABA Akiyoshi
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
ARIMA Yutaka
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 4S ページ： 04CH06.1-04CH06.5 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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