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文献
J-GLOBAL ID：201702247244588481
整理番号：17A0325067
脱水したポリ(ビニルアルコール)被覆を用いた可逆的n-ドーピングを用いた高効率で安定なMoS_2FET【Powered by NICT】
Highly efficient and stable MoS2 FETs with reversible n-doping using a dehydrated poly(vinyl-alcohol) coating
Lockhart de la Rosa Cesar J.
(imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium. lockhart@imec.be)
,
Nourbakhsh Amirhasan
,
Heyne Markus
,
Asselberghs Inge
,
Huyghebaert Cedric
,
Radu Iuliana
,
Heyns Marc
,
De Gendt Stefan
資料名：
Nanoscale
(Nanoscale)
巻： 9 号： 1 ページ： 258-265 発行年： 2017年
JST資料番号： W2323A ISSN： 2040-3364 CODEN： NANOHL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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