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文献
J-GLOBAL ID：201702247383992816
整理番号：17A0014081
グラフェン電界効果トランジスタのヒステリシス挙動における電荷捕獲機構における2つの時間尺度
The two timescales in the charge trapping mechanism for the hysteresis behavior in graphene field effect transistors
Mao Da-cheng
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Shao-qing
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Peng Song-ang
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhang Da-yong
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Shi Jing-yuan
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Huang Xin-nan
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Asif Muhammad
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Jin Zhi
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27 号： 9 ページ： 9847-9852 発行年： 2016年09月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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