文献
J-GLOBAL ID:201702247493357992
整理番号:17A1445689
高密度不揮発性メモリ応用のためのIn_3SbTe_2デバイスの超高コントラストマルチレベル抵抗状態【Powered by NICT】
Extremely High Contrast Multi-Level Resistance States of In3SbTe2 Device for High Density Non-Volatile Memory Applications
著者 (3件):
Pandey Shivendra K.
(Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute , of Technology Indore, Indore, 453552, India)
,
Manivannan Anbarasu
(Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute , of Technology Indore, Indore, 453552, India)
,
Manivannan Anbarasu
(Metallurgical Engineering and Materials Science, Indian Institute of Technology Indore, Indore, 453552, India)
資料名:
Physica Status Solidi. Rapid Research Letters
(Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻:
11
号:
9
ページ:
ROMBUNNO.201700227
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1880A
ISSN:
1862-6254
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)