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文献
J-GLOBAL ID：201702247517341667
整理番号：17A0691870
ゲルマニウム上のAl2O3層のRFスパッタリングにおける界面層の成長動態と組成
Growth kinetic and composition of the interfacial layer for RF sputtering Al2O3 layer on germanium
SAHARI Siti Kudnie
(Universiti Malaysia Sarawak, Kota Samarahan, MYS)
,
KASHIF Muhammad
(Universiti Malaysia Sarawak, Kota Samarahan, MYS)
,
SUTAN Norsuzailina Mohamed
(Universiti Malaysia Sarawak, Kota Samarahan, MYS)
,
EMBONG Zaidi
(Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, Batu Pahat, MYS)
,
FATHI Nik Amni Fathi Nik Zaini
(Universiti Malaysia Sarawak, Kota Samarahan, MYS)
,
HAMZAH Azrul Azlan
(Universiti Kebangsaan Malaysia, Bangi, MYS)
,
SAPAWI Rohana
(Universiti Malaysia Sarawak, Kota Samarahan, MYS)
,
MAJLIS Burhanuddin Yeop
(Universiti Kebangsaan Malaysia, Bangi, MYS)
,
AHMAD Ibrahim
(Universiti Tenaga Nasional Malaysia, Kajang, MYS)
資料名：
Microelectronics International
(Microelectronics International)
巻： 34 号： 2 ページ： 64-68 発行年： 2017年
JST資料番号： H0949A ISSN： 1356-5362 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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