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文献
J-GLOBAL ID：201702247536367283
整理番号：17A0852414
スピン-オン-ガラスソース/ドレインドーピング技術を用いたGa_2O_3MOSFET【Powered by NICT】
Ga2O3 MOSFETs Using Spin-On-Glass Source/Drain Doping Technology
Zeng Ke
(Electrical Engineering Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA)
,
Wallace Joshua S.
(Chemistry Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA)
,
Heimburger Christopher
(Chemistry Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA)
,
Sasaki Kohei
(Novel Crystal Technology Inc., Sayama, Japan)
,
Kuramata Akito
(Novel Crystal Technology Inc., Sayama, Japan)
,
Masui Takekazu
(Novel Crystal Technology Inc., Sayama, Japan)
,
Gardella Joseph A.
(Chemistry Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA)
,
Singisetti Uttam
(Electrical Engineering Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 4 ページ： 513-516 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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