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文献
J-GLOBAL ID：201702247556362839
整理番号：17A0214234
低電力と高性能のためのマルチV_Tゲートスタックを用いた10nm FinFET技術の信頼性キャラクタリゼーション【Powered by NICT】
Reliability characterization of 10nm FinFET technology with multi-VT gate stack for low power and high performance
Jin Minjung
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Liu Changze
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Kim Jinju
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Kim Jungin
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Shim Hyewon
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Kim Kangjung
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Kim Gunrae
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Lee Soonyoung
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Uemura Taiki
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Chang Man
(SRD Center, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
An Taehyun
(SRD Center, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Park Junekyun
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Pae Sangwoo
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 15.1.1-15.1.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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