文献
J-GLOBAL ID:201702247556362839
整理番号:17A0214234
低電力と高性能のためのマルチV_Tゲートスタックを用いた10nm FinFET技術の信頼性キャラクタリゼーション【Powered by NICT】
Reliability characterization of 10nm FinFET technology with multi-VT gate stack for low power and high performance
著者 (13件):
Jin Minjung
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Liu Changze
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Kim Jinju
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Kim Jungin
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Shim Hyewon
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Kim Kangjung
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Kim Gunrae
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Lee Soonyoung
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Uemura Taiki
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Chang Man
(SRD Center, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
An Taehyun
(SRD Center, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Park Junekyun
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
,
Pae Sangwoo
(S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
15.1.1-15.1.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)