前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702247731101387
整理番号：17A0335398
C4F4/Ar誘導結合プラズマを用いた溶融石英の深部ドライエッチング
Deep dry etching of fused silica using C4F8/Ar inductively coupled plasmas
LIN Laicun
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LIN Laicun
(National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN)
,
JING Xiangmeng
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
JING Xiangmeng
(National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN)
,
LIU Fengman
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Fengman
(National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN)
,
YIN Wen
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
YIN Wen
(National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN)
,
YU Daquan
(National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN)
,
CAO Liqiang
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
CAO Liqiang
(National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28 号： 1 ページ： 480-486 発行年： 2017年01月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。