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文献
J-GLOBAL ID：201702247755609713
整理番号：17A1570377
非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド薄膜トランジスタを集積したZnOナノワイヤ電界エミッタ【Powered by NICT】
ZnO nanowire field emitters integrated with amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide thin film transistor
Li Xiaojie
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Zhang Zhipeng
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Ou Hai
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
She Juncong
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Deng Shaozhi
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Xu Ningsheng
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Chen Jun
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IVNC ページ： 206-207 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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