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文献
J-GLOBAL ID：201702247828759806
整理番号：17A0850694
InAs/GaSb超格子に基づくSiO_2~-不動態化したフォトダイオードの暗電流機構とスペクトル応答【Powered by NICT】
Dark current mechanisms and spectral response of SiO2-passivated photodiodes based on InAs/GaSb superlattice
Peng Ruiqin
(School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China)
,
Jiao Shujie
(School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China)
,
Jiang Dongwei
(School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China)
,
Li Hongtao
(School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China)
,
Zhao Liancheng
(School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 629 ページ： 55-59 発行年： 2017年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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