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文献
J-GLOBAL ID：201702247942609270
整理番号：17A1172358
ほぼ平衡水素エッチングによって得られたSiC(0001 )表面上の高移動度と大きなドメイン分離したエピタキシャルグラフェン【Powered by NICT】
High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000 1 ) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching
Zhang Fusheng
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China)
,
Chen Xiufang
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China)
,
Yu Cancan
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China)
,
Xu Xiangang
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China)
,
Hu Xiaobo
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China)
,
Qin Xiao
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China)
,
Li Qi
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China)
,
Zhao Xian
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China)
,
Yu Peng
(State Grid Shandong Electric Power Research Institute, Jinan 250001, PR China)
,
Wang Ruiqi
(State Grid Shandong Electric Power Research Institute, Jinan 250001, PR China)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 195 ページ： 82-85 発行年： 2017年
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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