文献
J-GLOBAL ID:201702247996040854
整理番号:17A0465664
高温気相エピタキシー法(HTVPE)により成長させたGaN層の微細構造欠陥形成に及ぼすアンモニアの影響
Effect of the Ammonia Flow on the Formation of Microstructure Defects in GaN Layers Grown by High-Temperature Vapor Phase Epitaxy
著者 (9件):
BARCHUK M.
(TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU)
,
LUKIN G.
(TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU)
,
ZIMMERMANN F.
(TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU)
,
ROEDER C.
(TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU)
,
MOTYLENKO M.
(TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU)
,
PAETZOLD O.
(TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU)
,
HEITMANN J.
(TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU)
,
KORTUS J.
(TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU)
,
RAFAJA D.
(TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
3
ページ:
1612-1619
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)