文献
J-GLOBAL ID:201702248028426901
整理番号:17A0950726
反応性ガスタイミングマグネトロンスパッタリングでデポジットしたアモルファスITO薄膜の微細構造と光電特性に与える水素処理の役目
Role of hydrogen treatment on microstructural and opto-electrical properties of amorphous ITO thin films deposited by reactive gas-timing DC magnetron sputtering
著者 (3件):
KOSARIAN A.
(Shahid Chamran Univ. Ahvaz, Ahvaz, IRN)
,
SHAKIBA M.
(Shahid Chamran Univ. Ahvaz, Ahvaz, IRN)
,
FARSHIDI E.
(Shahid Chamran Univ. Ahvaz, Ahvaz, IRN)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
14
ページ:
10525-10534
発行年:
2017年07月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)