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J-GLOBAL ID:201702248056048151   整理番号:17A0759466

より深い4H-SiCp-n接合のためのVLS局在エピタクシーのさらなる最適化【Powered by NICT】

Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions
著者 (8件):
Sejil S.
(Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces (LMI), Universite Claude Bernard Lyon 1, 22 avenue Gaston Berger, 69622 Villeurbanne cedex, France)
Sejil S.
(Laboratoire AMPERE, INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquees de Lyon, Batiment Leonard de Vinci, 69621 Villeurbanne cedex, France)
Lazar M.
(Laboratoire AMPERE, INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquees de Lyon, Batiment Leonard de Vinci, 69621 Villeurbanne cedex, France)
Carole D.
(Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces (LMI), Universite Claude Bernard Lyon 1, 22 avenue Gaston Berger, 69622 Villeurbanne cedex, France)
Brylinski C.
(Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces (LMI), Universite Claude Bernard Lyon 1, 22 avenue Gaston Berger, 69622 Villeurbanne cedex, France)
Planson D.
(Laboratoire AMPERE, INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquees de Lyon, Batiment Leonard de Vinci, 69621 Villeurbanne cedex, France)
Ferro G.
(Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces (LMI), Universite Claude Bernard Lyon 1, 22 avenue Gaston Berger, 69622 Villeurbanne cedex, France)
Raynaud C.
(Laboratoire AMPERE, INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquees de Lyon, Batiment Leonard de Vinci, 69621 Villeurbanne cedex, France)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)

巻: 214  号:ページ: ROMBUNNO.201600454  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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