前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702248168721434
整理番号：17A1546291
低ドープn-GaAs中の電子ビーム照射により誘起された欠陥の電気的特性評価【Powered by NICT】
Electrical characterization of defects induced by electron beam exposure in low doped n-GaAs
Tunhuma S.M.
(Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa)
,
Auret F.D.
(Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa)
,
Nel J.M.
(Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa)
,
Omotoso E.
(Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa)
,
Danga H.T.
(Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa)
,
Igumbor E.
(Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa)
,
Diale M.
(Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 409 ページ： 36-40 発行年： 2017年
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。