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文献
J-GLOBAL ID：201702248200822790
整理番号：17A0693507
InP基板に成長したInAsベースエピタキシャル構造からのTHzパルス放射
THz pulse emission from InAs-based epitaxial structures grown on InP substrates
NEVINSKAS I
(Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU)
,
BUTKUTE R
(Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU)
,
STANIONYTE S
(Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU)
,
BICIUNAS A
(Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU)
,
GEIZUTIS A
(Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU)
,
GEIZUTIS A
(Vilnius Gediminas Technical Univ., Vilnius, LTU)
,
KROTKUS A
(Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 31 号： 11 ページ： 115021,1-6 発行年： 2016年11月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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