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文献
J-GLOBAL ID：201702248251954810
整理番号：17A0274497
SiNx:Hを用いたほう素をドープしたフロートゾーンシリコンのバルクおよび不動態化品質における温度と光誘起変化【Powered by NICT】
Temperature and Light-Induced Changes in Bulk and Passivation Quality of Boron-Doped Float-Zone Silicon Coated With SiNx:H
Sperber David
(Department of Physics, University of Konstanz, Konstanz, Germany)
,
Heilemann Adrian
(Department of Physics, University of Konstanz, Konstanz, Germany)
,
Herguth Axel
(Department of Physics, University of Konstanz, Konstanz, Germany)
,
Hahn Giso
(Department of Physics, University of Konstanz, Konstanz, Germany)
資料名：
IEEE Journal of Photovoltaics
(IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7 号： 2 ページ： 463-470 発行年： 2017年
JST資料番号： W2305A ISSN： 2156-3381 CODEN： IJPEG8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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