文献
J-GLOBAL ID:201702248263560384
整理番号:17A0504441
熱イオン真空アークでコートしたGeドープGaN薄膜に与える基板の効果
The substrate effect on Ge doped GaN thin films coated by thermionic vacuum arc
著者 (4件):
OEZEN Soner
(Eskisehir Osmangazi Univ., Eskisehir, TUR)
,
KORKMAZ Sadan
(Eskisehir Osmangazi Univ., Eskisehir, TUR)
,
SENAY Volkan
(Bayburt Univ., Bayburt, TUR)
,
PAT Suat
(Eskisehir Osmangazi Univ., Eskisehir, TUR)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
2
ページ:
1288-1293
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)