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文献
J-GLOBAL ID：201702248298522690
整理番号：17A0822239
DCマグネトロンスパッタリングで制作したAlドープZnO薄膜の性質に与えるバッファ厚さの効果
Effect of buffer thickness on the properties of Al-doped ZnO thin films prepared by DC magnetron sputtering
ZHU Ke
(Hunan Inst. Technol., Hengyang, CHN)
,
WANG Haibin
(Hunan Inst. Technol., Hengyang, CHN)
,
XIAO Faxin
(Hunan Inst. Technol., Hengyang, CHN)
,
XU Feng
(Hunan Inst. Technol., Hengyang, CHN)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28 号： 10 ページ： 7302-7306 発行年： 2017年05月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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