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文献
J-GLOBAL ID：201702248333166221
整理番号：17A1636596
AlGaN/GaNH EMTの表面電位モデルにおける自己発熱とトラッピング効果の実装【Powered by NICT】
Implementation of self-heating and trapping effects in surface potential model of AlGaN/GaN HEMTs
Wu Qingzhi
(School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Xu Yuehang
(School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Wang Zhigang
(School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Xia Lei
(School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Yan Bo
(School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Xu Ruimin
(School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IMS ページ： 236-239 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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