文献
J-GLOBAL ID:201702248447345590
整理番号:17A0885699
フレキシブルニッケルドープ酸化亜鉛薄膜トランジスタの特性に及ぼすチャネル層厚さの影響【Powered by NICT】
Effects of Channel Layer Thickness on Characteristics of Flexible Nickel-Doped Zinc Oxide Thin-Film Transistors
著者 (7件):
Han Dedong
(Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Huang Lingling
(Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Yu Wen
(Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Cong Yingying
(Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Dong Junchen
(Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Zhang Xing
(Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Wang Yi
(Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
5
ページ:
1997-2000
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)