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文献
J-GLOBAL ID：201702248567857748
整理番号：17A0469727
ジブロック共重合体リソグラフィーナノパターニングを用いたGaAs基板上の歪んだ(In)GaAs量子ドットの選択的成長【Powered by NICT】
Selective growth of strained (In)GaAs quantum dots on GaAs substrates employing diblock copolymer lithography nanopatterning
Kim Honghyuk
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, USA)
,
Choi Jonathan
(Department of Material Science and Engineering, University of Wisconsin-Madison, USA)
,
Lingley Zachary
(Electronics and Photonics Laboratory, The Aerospace Corporation, USA)
,
Brodie Miles
(Electronics and Photonics Laboratory, The Aerospace Corporation, USA)
,
Sin Yongkun
(Electronics and Photonics Laboratory, The Aerospace Corporation, USA)
,
Kuech Thomas F.
(Department of Chemical and Biological Engineering, University of Wisconsin-Madison, USA)
,
Gopalan Padma
(Department of Material Science and Engineering, University of Wisconsin-Madison, USA)
,
Mawst Luke J.
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 465 ページ： 48-54 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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