文献
J-GLOBAL ID:201702248689992522
整理番号:17A1620648
マクロ多孔質シリコンの不活性気体流内の高温度アニーリング
High-Temperature Annealing of Macroporous Silicon in an Inert-Gas Flow
著者 (4件):
ASTROVA E. V.
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
PREOBRAZHENSKIY N. E.
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
PAVLOV S. I.
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
VORONKOV V. B.
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
9
ページ:
1153-1163
発行年:
2017年09月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)