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文献
J-GLOBAL ID：201702248695958450
整理番号：17A0027285
MOSFETの非線形ドレイン-ソース間容量及び非線形ゲート-ドレイン間容量を考慮したE級電力増幅器の設計
A Class-E Power Amplifier Design Considering MOSFET Nonlinear Drain-to-Source and Nonlinear Gate-to-Drain Capacitances at Any Grading Coefficient
Hayati Mohsen
(Department of Electrical Engineering, Kermanshah Branch, Islamic Azad University, Kermanshah, Iran)
,
Roshani Sobhan
(Electrical Engineering Department, Faculty of Engineering, Razi University, Kermanshah, Iran)
,
Kazimierczuk Marian K.
(Department of Electrical Engineering, Wright State University, Dayton, OH, USA)
,
Sekiya Hiroo
(, Graduate School of Advanced Integration Science, Chiba University, Chiba, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 31 号： 11 ページ： 7770-7779 発行年： 2016年
JST資料番号： D0211B ISSN： 0885-8993 CODEN： ITPEE8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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