文献
J-GLOBAL ID:201702248750459689
整理番号:17A0481322
擬二元線GeTe-Sb2Te3カルコゲン化物半導体の相変化メモリ薄膜中の電気的性質と輸送機構
Electrical Properties and Transport Mechanisms in Phase Change Memory Thin Films of Quasi-Binary-Line GeTe-Sb2Te3 Chalcogenide Semiconductors
著者 (7件):
SHERCHENKOV A. A.
(National Res. Univ. Electronic Technol., Moscow, RUS)
,
KOZYUKHIN S. A.
(Kurnakov Inst. of General and Inorganic Chemistry, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS)
,
LAZARENKO P. I.
(National Res. Univ. Electronic Technol., Moscow, RUS)
,
BABICH A. V.
(National Res. Univ. Electronic Technol., Moscow, RUS)
,
BOGOSLOVSKIY N. A.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SAGUNOVA I. V.
(National Res. Univ. Electronic Technol., Moscow, RUS)
,
REDICHEV E. N.
(National Res. Univ. Electronic Technol., Moscow, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
2
ページ:
146-152
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)