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文献
J-GLOBAL ID：201702248775700834
整理番号：17A1810691
GaAsSbコンタクト層とInGaAsSbグレーデッド層からなるハイブリッドベース構造を有するInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの有機金属化学気相成長のための組成とドーピング制御
Composition and doping control for metal-organic chemical vapor deposition of InP-based double heterojunction bipolar transistor with hybrid base structure consisting of GaAsSb contact and InGaAsSb graded layers
HOSHI Takuya
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KASHIO Norihide
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
SUGIYAMA Hiroki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
YOKOYAMA Haruki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KURISHIMA Kenji
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
IDA Minoru
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
MATSUZAKI Hideaki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 7 ページ： 075503.1-075503.5 発行年： 2017年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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