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文献
J-GLOBAL ID：201702248778045574
整理番号：17A0776032
p a Si:H/n C Si/n +a-Si:Hヘテロ接合太陽電池の裏面電界の影響のシミュレーション解析【Powered by NICT】
Simulation analysis of the effects of a back surface field on a p-a-Si:H/n-c-Si/n+-a-Si:H heterojunction solar cell
Hu Yuehui
(Jingdezhen Ceramics Institution)
,
Zhang Xiangwen
(Jingdezhen Ceramics Institution)
,
Qu Minghao
(Jingdezhen Ceramics Institution)
,
Wang Lifu
(Jingdezhen Ceramics Institution)
,
Zeng Tao
(Jingdezhen Ceramics Institution)
,
Xie Yaojiang
(Jingdezhen Ceramics Institution)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 30 号： 6 ページ： 68-71 発行年： 2009年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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