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文献
J-GLOBAL ID：201702248875009198
整理番号：17A0475053
3D構造のためのドーパント,組成とキャリアプロファイリング【Powered by NICT】
Dopant, composition and carrier profiling for 3D structures
Vandervorst W.
(Instituut voor Kern, en Stralingsfysica, Celestijnenlaan 200D, KU Leuven, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Vandervorst W.
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Fleischmann C.
(Instituut voor Kern, en Stralingsfysica, Celestijnenlaan 200D, KU Leuven, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Fleischmann C.
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Bogdanowicz J.
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Franquet A.
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Celano U.
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Paredis K.
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Budrevich A.
(Intel, Portland, USA)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62 ページ： 31-48 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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