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文献
J-GLOBAL ID：201702248889956282
整理番号：17A0518244
XF4(X=C,Si,およびGe)分子の電子衝撃励起および解離に関する平面Born断面積の実験的スケーリングおよびab initio帰属
Experimental scaling of plane-Born cross sections and ab initio assignments for electron-impact excitation and dissociation of XF4 (X = C, Si, and Ge) molecules
Hoshino M.
(Department of Physics, Sophia University, Tokyo 102-8554, Japan)
,
Duflot D.
(UMR 8523 - Physique des Lasers Atomes et Molecules, Universite de Lille, F-59000 Lille, France)
,
Limao-Vieira P.
(Department of Physics, Sophia University, Tokyo 102-8554, Japan)
,
Ohtomi S.
(Department of Physics, Sophia University, Tokyo 102-8554, Japan)
,
Tanaka H.
(Department of Physics, Sophia University, Tokyo 102-8554, Japan)
資料名：
Journal of Chemical Physics
(Journal of Chemical Physics)
巻： 146 号： 14 ページ： 144306-144306-16 発行年： 2017年04月14日
JST資料番号： C0275A ISSN： 0021-9606 CODEN： JCPSA6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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