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文献
J-GLOBAL ID：201702249034656641
整理番号：17A0407307
n-CdSe NR/p Siヘテロ接合に基づく2端子不揮発性抵抗スイッチング記憶素子【Powered by NICT】
Two-terminal nonvolatile resistive switching memory devices based on n-CdSe NR/p-Si heterojunctions
Wu Di
(Department of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, PR China)
,
Xu Tingting
(Department of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, PR China)
,
Shi Zhifeng
(Department of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, PR China)
,
Tian Yongtao
(Department of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, PR China)
,
Li Xinjian
(Department of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, PR China)
,
Yu Yongqiang
(School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui 230009, PR China)
,
Jiang Yang
(School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui 230009, PR China)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695 ページ： 1653-1657 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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