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文献
J-GLOBAL ID：201702249066083085
整理番号：17A0399664
初期および後期成長段階でのSi(111)表面上の2次元Si島状核形成:角錐型成長におけるステップ透過性の役割【Powered by NICT】
2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth
Rogilo D.I.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Rogilo D.I.
(Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Fedina L.I.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Fedina L.I.
(Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Kosolobov S.S.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Kosolobov S.S.
(Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Ranguelov B.S.
(Institute of Physical Chemistry, G. Bonchev Str., building 11, Sofia 1113, Bulgaria)
,
Latyshev A.V.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Latyshev A.V.
(Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 457 ページ： 188-195 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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