文献
J-GLOBAL ID:201702249124246066
整理番号:17A0704006
Ni/SiN_x/p Siメモリ素子における整流の理解と非線形バイポーラ抵抗スイッチング特性【Powered by NICT】
Understanding rectifying and nonlinear bipolar resistive switching characteristics in Ni/SiNx/p-Si memory devices
著者 (3件):
Kim Sungjun
(Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul 08826, South Korea. bgpark@snu.ac.kr)
,
Chang Yao-Feng
,
Park Byung-Gook
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
29
ページ:
17882-17888
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)