文献
J-GLOBAL ID:201702249185705188
整理番号:17A1810916
結晶欠陥をもつ(001)β-Ga2O3基板上に作製したSchottky障壁ダイオードの電気的性質
Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects
著者 (12件):
OSHIMA Takayoshi
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
HASHIGUCHI Akihiro
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
MORIBAYASHI Tomoya
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
KOSHI Kimiyoshi
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
KOSHI Kimiyoshi
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
UEDA Osamu
(Kanazawa Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
OISHI Toshiyuki
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
KASU Makoto
(Saga Univ., Saga, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
8
ページ:
086501.1-086501.7
発行年:
2017年08月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)