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文献
J-GLOBAL ID：201702249209500834
整理番号：17A0289444
有限要素法による35nm径のTiN下部電極を持つ相変化ランダムアクセスメモリのシミュレーション
Simulation of Phase-Change Random Access Memory with 35nm diameter of the TiN bottom electrode by Finite Element Modeling
JIN Qiuxue
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
JIN Qiuxue
(Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Bo
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
LIU Yan
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
WANG Heng
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
WANG Heng
(Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
XU Zhen
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
XU Zhen
(Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
GAO Dan
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
GAO Dan
(Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Qing
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
WANG Qing
(Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
XIA Yangyang
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
XIA Yangyang
(Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Weiwei
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
WANG Weiwei
(Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
SONG Zhitang
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
FENG Songlin
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 9818 ページ： 98180K.1-98180K.5 発行年： 2016年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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