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文献
J-GLOBAL ID：201702249235070634
整理番号：17A0953420
安熱合成的に結晶化したGaN種結晶上に成長した高抵抗Cドープ水素化物気相エピタキシーGaN
Highly resistive C-doped hydride vapor phase epitaxy-GaN grown on ammonothermally crystallized GaN seeds
IWINSKA Malgorzata
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL)
,
PIOTRZKOWSKI Ryszard
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL)
,
LITWIN-STASZEWSKA Elzbieta
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL)
,
SOCHACKI Tomasz
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL)
,
AMILUSIK Mikolaj
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL)
,
FIJALKOWSKI Michal
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL)
,
LUCZNIK Boleslaw
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL)
,
BOCKOWSKI Michal
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 10 号： 1 ページ： 011003.1-011003.4 発行年： 2017年01月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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