文献
J-GLOBAL ID:201702249340857103
整理番号:17A1258262
低V_t PFETの根本原因解析のためのSSRMおよびTCADによる2次元キャリアプロフィル【Powered by NICT】
2D carrier profiles by SSRM and TCAD for root cause analysis of low Vt PFET
著者 (4件):
Nxumalo J. N.
(GlobalFoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY, 12533)
,
Wang Y. Y.
(GlobalFoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY, 12533)
,
Krishnasamy R.
(GlobalFoundries Inc., 1490-, 1598 Robinson Pkwy, Essex Junction, VT 05452)
,
Katnani A.
(GlobalFoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY, 12533)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IWJT
ページ:
31-33
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)