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文献
J-GLOBAL ID:201702249340857103   整理番号:17A1258262

低V_t PFETの根本原因解析のためのSSRMおよびTCADによる2次元キャリアプロフィル【Powered by NICT】

2D carrier profiles by SSRM and TCAD for root cause analysis of low Vt PFET
著者 (4件):
Nxumalo J. N.
(GlobalFoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY, 12533)
Wang Y. Y.
(GlobalFoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY, 12533)
Krishnasamy R.
(GlobalFoundries Inc., 1490-, 1598 Robinson Pkwy, Essex Junction, VT 05452)
Katnani A.
(GlobalFoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY, 12533)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2017  号: IWJT  ページ: 31-33  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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