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文献
J-GLOBAL ID：201702249350634094
整理番号：17A1640779
UTB-GeOI MOSFETにおけるチャネル厚さスケーリング誘起電子移動度増大の初めての実験的観察【Powered by NICT】
First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
Chang Wen Hsin
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Irisawa Toshifumi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Ishii Hiroyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Hattori Hiroyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Ota Hiroyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Takagi Hideki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Kurashima Yuichi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Uchida Noriyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Maeda Tatsuro
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 11 ページ： 4615-4621 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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