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文献
J-GLOBAL ID:201702249350634094   整理番号:17A1640779

UTB-GeOI MOSFETにおけるチャネル厚さスケーリング誘起電子移動度増大の初めての実験的観察【Powered by NICT】

First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
著者 (9件):
Chang Wen Hsin
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
Irisawa Toshifumi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
Ishii Hiroyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
Hattori Hiroyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
Ota Hiroyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
Takagi Hideki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
Kurashima Yuichi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
Uchida Noriyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
Maeda Tatsuro
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)

資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻: 64  号: 11  ページ: 4615-4621  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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