文献
J-GLOBAL ID:201702249459785118
整理番号:17A0634808
チタン亜酸化物層有りまたは無しのInGaZnO薄膜トランジスタの光照射の下での電気的不安定性
Electrical instability of InGaZnO thin-film transistors with and without titanium sub-oxide layer under light illumination
著者 (9件):
CHIU Y.C.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
ZHENG Z.W.
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
CHENG C.H.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN P.C.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
YEN S.S.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
FAN C.C.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HSU H.H.
(National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN)
,
KAO H.L.
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
,
CHANG C.Y.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻:
123
号:
3
ページ:
188,1-5
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
D0256C
ISSN:
0947-8396
CODEN:
APHYCC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)