文献
J-GLOBAL ID:201702249474169890
整理番号:17A0591723
有機金属化学蒸着反応器内でのin situベークにより形成したSi(001)表面上GaAsに関する選択的エピタキシャル成長
Selective Epitaxial Growth of GaAs on a Si (001) Surface Formed by an In Situ Bake in a Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Reactor
著者 (12件):
CHO Young-Dae
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
CHO Young-Dae
(Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR)
,
LEE In-Geun
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
LEE In-Geun
(Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR)
,
JUNG Mi-Jin
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
SHIN Hyunsu
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
JUN Dong-Hwan
(Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR)
,
SHIN Chan-Soo
(Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR)
,
PARK Kyung-Ho
(Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR)
,
PARK Won-Kyu
(Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR)
,
KIM Dae-Hyun
(Kyungpook National Univ., Dague, KOR)
,
KO Dae-Hong
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
5
ページ:
3242-3246
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)