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文献
J-GLOBAL ID：201702249509559124
整理番号：17A1445705
圧縮座屈による自発的剥離は再利用可能なGaAs基板からの大規模βGa_2O_3薄膜移動を促進する【Powered by NICT】
Spontaneous delamination via compressive buckling facilitates large-scale β-Ga2O3 thin film transfer from reusable GaAs substrates
Kaya Ahmet
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA)
,
Dryden Daniel M.
(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Davis, CA, USA)
,
Woodall Jerry M.
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA)
,
Islam M. Saif
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214 号： 10 ページ： ROMBUNNO.201700102 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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