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文献
J-GLOBAL ID：201702249788576623
整理番号：17A0522196
PINドープGaN量子障壁を用いたInGaN/GaN発光ダイオードの高効率化
Efficiency enhancement of InGaN/GaN light-emitting diodes with pin-doped GaN quantum barrier
SIRKELI Vadim P
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
SIRKELI Vadim P
(Comrat State Univ., Comrat, MDA)
,
YILMAZOGLU Oktay
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
AL-DAFFAIE Shihab
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
OPREA Ion
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
ONG Duu Sheng
(Multimedia Univ., Selangor, MYS)
,
KUEPPERS Franko
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
HARTNAGEL Hans L
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50 号： 3 ページ： 035108,1-13 発行年： 2017年01月25日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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