文献
J-GLOBAL ID:201702249809099278
整理番号:17A0911197
陽子照射したAlGaN/GaNH EMTのGd_2O_3ゲート誘電体の影響【Powered by NICT】
Effects of Gd2O3 Gate Dielectric on Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs
著者 (6件):
Gao Z.
(ISOM)
,
Romero M. F.
(ISOM)
,
Redondo-Cubero A.
(Department of Applied Physics, Microelectronics Laboratory, Universidad Auto ́noma de Madrid, Madrid, Spain)
,
Pampillon M. A.
(Departamento de Fi ́sica Aplicada III (Electr. y Electron.), Universidad Complutense de Madrid, Madrid, Spain)
,
San Andres E.
(Departamento de Fi ́sica Aplicada III (Electr. y Electron.), Universidad Complutense de Madrid, Madrid, Spain)
,
Calle F.
(ISOM)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
5
ページ:
611-614
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)