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文献
J-GLOBAL ID：201702249860530301
整理番号：17A0363832
ゲルマニウムドーピングによるCu_3SbSe_4の増強された熱電特性【Powered by NICT】
Enhanced thermoelectric properties of Cu3SbSe4 by germanium doping
Chang Chia-Hsiang
(Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan)
,
Chang Chia-Hsiang
(Graduate Institute of Applied Physics, National Chengchi University, Taipei 116, Taiwan)
,
Chen Cheng-Lung
(Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan)
,
Chiu Wan-Ting
(Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan)
,
Chen Yang-Yuan
(Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan)
,
Chen Yang-Yuan
(Graduate Institute of Applied Physics, National Chengchi University, Taipei 116, Taiwan)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 186 ページ： 227-230 発行年： 2017年
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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