文献
J-GLOBAL ID:201702249897774444
整理番号:17A0465696
チタン酸ビスマス中間層を有するn-Siショットキーバリアダイオードの電気的および誘電特性:温度の影響
Electrical and Dielectric Properties of a n-Si Schottky Barrier Diode with Bismuth Titanate Interlayer: Effect of Temperature
著者 (4件):
YILDIRIM M.
(Duezce Univ., Duezce, TUR)
,
SAHIN C.
(Gazi Univ., Ankara, TUR)
,
ALTINDAL S.
(Gazi Univ., Ankara, TUR)
,
DURMUS P.
(Gazi Univ., Ankara, TUR)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
3
ページ:
1895-1901
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)